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Typical Characteristics
5
1000
I D = -3.5A
V DS = -5V
-10V
C ISS
f = 1 MHz
V GS = 0 V
4
3
2
-15V
800
600
400
1
0
200
0
C RSS
C OSS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
5
10
15
20
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
10
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
10
R DS(ON) LIMIT
100 μ s
1ms
8
R θ JA = 156°C/W
T A = 25°C
10ms
100ms
6
1
1s
V GS = -10V
DC
4
0.1
SINGLE PULSE
R θ JA = 156 o C/W
T A = 2 5 o C
2
0.01
0.1
1
10
100
0
0.01
0.1
1
10
100
-V D S , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.2
R θ JA (t) = r(t) + R θ JA
o
R θ JA = 156 C/W
0.1
0.1
0.05
0.02
P(pk)
t 1
0.01
0.001
0.01
SINGLE PULSE
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDC634P Rev E(W)
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